三星SD卡编号信息
美光Flash颗的编号信息
英特尔Flash颗粒的编号信息
三星Flash颗粒编号信息
海力士Flash颗粒的编号信息
闪存卡的速度和光驱等设备采用相同的速度标准,以150KB/s为1倍速(1X),所以一块闪存卡如果标称为40X,那么它的速度就应该是150KB/s X 40 =6.0MB/s。而读写速度一般来说并不是相同的,所以闪存卡应该分别标出读...
随着闪存卡的价格迅速降低、容量逐渐增大,以FLASH为存储介质的闪存卡、SD卡、CF卡、U盘等移动存储大量普及。随之带来的问题是物理或逻辑损坏的闪存卡也逐渐增多。其实有些小毛病还是可以自行处理的。文中提及的...
FPM 曾经一度是计算机中最常见的 DRAM 形式。事实上,由于 FPM 如此常见,它被省略 "FPM" 而直接称为 "DRAM" , FPM 以更快存取位于同一列的数据的速度提供了较早期内存科技更多的优势。
芯片包装指包裹于硅晶外层的物质。目前最常见的包装称为 TSOP(Thin Small Outline Packaging) ,早期的芯片设计以 DIP(Dual In-line Package) 以及 SOJ(Small Outline J-lead) 的
1.CF卡 全称是"Compact Flash",早期由最大的Flash Memory卡厂商之一美国SanDisk公司于1994年推出的。大小为43mm x 36mm x 3.3mm,重量大约在15克以内,发展上较为成熟,采用AT
记忆棒英文名为Memory Stick,尺寸为:50mm x 21.5mm x 2.8mm,重4克,是Sony公司开发研制的。采用精致醒目的蓝色外壳(新的MG为白色),并具有写保护开关。
MMC卡全称MultiMedia Card)由西门子公司和首推CF的SanDisk于1997年推出。该卡的外形尺寸大约为32×24×1.4立方毫米,重量在2克以下,由于封装技术先进,MMC卡目前已经相当成熟。
SD卡是Secure Digital Card卡的简写,是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备。由日本松下、东芝及美国SanDisk公司于1999年8月共同开发研制。SD卡在24mm×32mm×2.1mm的体积内结合了SanDisk
Micro Drive 是一种内建微型硬盘(磁性记忆)的记忆卡;而CF则内建闪存。因此,两者最大的差异在于储存数据的硬件不同。尽管如此,CF 与 Micro Drive 的共通点在于,由于两者规格相同,因此在大多数的数字产品上...
闪存卡(Flash Card)采用NAND Flash为存储介质,具有NAND Flash非易失性存储的特性,也具大容量存储,读写速度快等优点,而且体积小,易于携带,随着技术的发展,现在价格也比较低廉。
存储原厂 |
三星电子 | 54400 | KRW | +1.68% |
SK海力士 | 168500 | KRW | -0.65% |
铠侠 | 1554 | JPY | -1.65% |
美光科技 | 89.350 | USD | -0.41% |
西部数据 | 61.415 | USD | -0.24% |
南亚科 | 31.90 | TWD | +2.90% |
华邦电子 | 15.60 | TWD | +2.63% |
主控厂商 |
群联电子 | 487.5 | TWD | +1.67% |
慧荣科技 | 56.220 | USD | +0.27% |
联芸科技 | 46.89 | CNY | +7.23% |
点序 | 46.00 | TWD | +1.55% |
国科微 | 72.33 | CNY | -0.23% |
品牌/模组 |
江波龙 | 96.50 | CNY | +2.71% |
希捷科技 | 88.650 | USD | +0.14% |
宜鼎国际 | 218.0 | TWD | +1.63% |
创见资讯 | 88.4 | TWD | -2.10% |
威刚科技 | 79.6 | TWD | +0.76% |
世迈科技 | 19.380 | USD | -0.26% |
朗科科技 | 22.52 | CNY | +2.22% |
佰维存储 | 69.72 | CNY | +6.12% |
德明利 | 90.70 | CNY | +0.33% |
大为股份 | 12.41 | CNY | -1.04% |
封测厂商 |
华泰电子 | 36.00 | TWD | +4.05% |
力成 | 125.0 | TWD | +0.40% |
长电科技 | 39.24 | CNY | +0.54% |
日月光 | 164.5 | TWD | +2.49% |
通富微电 | 29.87 | CNY | +1.50% |
华天科技 | 12.09 | CNY | +1.34% |
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