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今年上半年整体市况较压抑,预期在需求递延下,应会削弱第四季营收下降的传统季节性影响,预估今年第四季可望与第三季持平,而上下半年营收比重则应会以4:6表现。

随着GDDR7显存技术的发展,三星电子、SK海力士和美光科技正在激烈竞争,以期在新一代高性能显存市场中占据领导地位。这三家公司均在积极研发,以期提供更高性能、更低功耗的GDDR7产品,满足日益增长的高性能计算和图形处理需求。

新思科技(Synopsys)近日宣布推出业界首款PCIe 7.0 IP解决方案,该方案包含控制器、IDE安全模块、PHY和验证IP,旨在满足计算密集型AI工作负载的带宽和延迟需求,同时支持广泛的生态系统互操作性。新思科技的PCIe 7.0技术在PCI-SIG DevCon大会上进行了全球首次演示,展现了其在数据中心AI芯片设计领域的领导地位。

三星电子正计划恢复位于平泽的新半导体工厂“P5”的基础建设。随着半导体行业的复苏正式开始,这被解读三星为扩大产能以应对需求增加的措施。

台积电及其子公司创意电子获得SK海力士下一代HBM4芯片设计和生产的重要订单,预计将采用台积电的先进工艺技术,进一步巩固其在高端芯片市场的领导地位。

但SK海力士也表示,虽然3D DRAM潜力巨大,但在实现商业化之前还需要进行大量的开发过程。SK海力士指出,与2D DRAM的稳定运行不同,3D DRAM表现出不稳定的性能特征,需要堆叠32-192层存储单元才能实现普遍使用。

考虑到西部数据对资本支出和投资回报的看法,可理解为其可能不愿意加入铠侠在2027年前实现达到 1,000层所需的多个层级跃升。西部数据希望减缓层级增长率,而不是维持或增加它。

普冉股份表示,2024年以来,随着下游市场的景气度逐渐复苏,产品出货量及营收同比均有较大幅度提升,1-5月出货量累计约35亿颗,较去年同期翻番。目前在手订单 1.7亿元左右(含税)。

随着今年存储芯片需求的回升,全球领先的存储芯片制造商三星电子、SK海力士以及日本的铠侠开始提高NAND闪存芯片的产量。

三星电子和SK海力士正在将3D DRAM技术与先进的混合键合技术相结合,以提高存储芯片的性能和制造效率。

韩国专利管理公司MimirIP已对美光提起诉讼,称其侵犯了Mimir拥有的芯片相关专利。这起于6月3日提起的诉讼还针对了四家使用美光产品的公司:特斯拉、戴尔、惠普和联想。

据韩媒报道,据三星内部和业内消息人士称,三星电子将在年内推出高带宽存储器(HBM)的三维(3D)封装服务,预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。

RTS5782 具有八个 NAND 通道,支持接口速度为 3,600 MT/s 的NAND,支持 4K LDPC ECC 机制,甚至支持 LPDDR4X 缓存。顺序读取速度高达 14,000 MB/s,顺序写入速度高达 12,000 MB/s,4K 随机读/写 IOPS 为 250 万。

据了解,产能将从今年上半年的每月4万张扩大到第三季度的7万张、然后第四季度达到10万张的规模,并计划明年将产能扩大到20万张/月。

SK海力士通过使用尖锐工具刺穿 HBM 安装的 DRAM 顶部以产生划痕来进行测试,结果发现其芯片的划痕比使用 TC-NCF 生产的芯片少。这一结果表明,HBM 可以承受外部物理冲击,而不会影响涉及 HBM 和计算单元组合的异构集成封装过程中的产量。

股市快讯 更新于: 12-23 22:39,数据存在延时

存储原厂
三星电子53500KRW+0.94%
SK海力士169600KRW+0.65%
铠侠1580JPY-7.33%
美光科技90.430USD+0.34%
西部数据60.230USD-0.02%
南亚科31.00TWD+1.97%
华邦电子15.20TWD+1.33%
主控厂商
群联电子479.5TWD+3.34%
慧荣科技54.920USD+1.89%
联芸科技43.73CNY+2.05%
点序45.30TWD+0.67%
国科微72.50CNY-1.53%
品牌/模组
江波龙93.95CNY-1.38%
希捷科技87.873USD+0.64%
宜鼎国际214.5TWD+1.90%
创见资讯90.3TWD+1.46%
威刚科技79.0TWD+0.13%
世迈科技19.350USD+4.54%
朗科科技22.03CNY-3.50%
佰维存储65.70CNY-2.87%
德明利90.40CNY-2.16%
大为股份12.54CNY-4.13%
封测厂商
华泰电子34.60TWD+1.76%
力成124.5TWD+2.47%
长电科技39.03CNY-2.38%
日月光160.5TWD+1.90%
通富微电29.43CNY-2.49%
华天科技11.93CNY-2.21%