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ASML发言人Monique Mools指出,预计新规不会对公司2024年的财务前景产生影响,也不会影响2022年11月投资者日期间所传达的长期前景。

十铨表示,虽然消费者市场需求尚在盘整,但HBM的产能排挤效应发酵,随着下半年客户库存去化逐渐完成,可望带动需求重返成长轨道。

品安在重大信息记者会上表示,自2023年起,该客户已逐渐减少委托品安的代工业务,并于近日接到正式通知,预计将在2024年11月30日结束所有委托代工业务。

Compute EXpress Link(CXL)是一种全新的互连协议,为各种处理器包括CPU、GPU、FPGA、加速器和存储设备提供统一接口标准,可以有效解决内存墙和IO墙的瓶颈。

Xockets在诉状中明确指出,英伟达的三款特定DPU产品使用了Xockets的技术,并且是故意为之。

台积电将在2027年推出其2.5D CoWoS技术,该技术将集成8颗A16工艺芯片和12颗HBM4内存。这项技术的应用将大幅降低AI处理器的生产成本,同时为工程师提供更高的便利性,使他们能够将新的代码写入芯片。

据CFM闪存市场了解,SK海力士预计将在9月底开始量产12层HBM3E,三星12层HBM3E芯片已完成量产准备,计划于今年下半年开始供货。

三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存,该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年,三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存,同样提供最大32Gb的颗粒容量。

SK海力士未来将计划专注于最先进的HBM产品,希望将大部分产能集中在最新一代HBM上,同时逐步淘汰旧产品。

因中国大陆地区销售大幅增长,带动2024年第二季度全球半导体制造设备销售额同比增长4%,达267.8亿美元,较第一季度的264.2亿美元微增1%。

南亚科技预计2025年底,1B制程月产能将超过20K片,而20nm旧制程月产能将下降至约36K片,1C制程EUV技术正在规划中。

三星电子能够提供从内存、代工制程到封装的一条龙服务,并与广泛的生态系统合作伙伴一起,满足客户的不同需求。

SK海力士预计将在本月底开始量产12层高带宽存储器(HBM3E),并计划与台积电合作生产下一代HBM4产品。

近日有消息称,英特尔公司最新的18A制造工艺在博通公司的测试中未能达标。据悉,博通在测试后认为英特尔的这一工艺尚不可行,无法满足大批量生产的条件。目前,双方的合作关系及博通是否决定退出潜在的生产交易尚不明确。

据DRAM产业的一般规律,内存良率至少需要达到80%才能实现稳定且经济的大规模生产与供应。目前看来,三星电子的1b nm LPDDR内存良率远低于这一目标,即使在企业内部供应中也存在不足问题。

股市快讯 更新于: 12-25 22:00,数据存在延时

存储原厂
三星电子54400KRW+1.68%
SK海力士168500KRW-0.65%
铠侠1664JPY+7.08%
美光科技89.280USD-0.49%
西部数据61.700USD+0.23%
南亚科31.20TWD-2.19%
华邦电子15.60TWD0.00%
主控厂商
群联电子492.0TWD+0.92%
慧荣科技56.485USD+0.74%
联芸科技44.92CNY-4.20%
点序46.30TWD+0.65%
国科微70.25CNY-2.88%
品牌/模组
江波龙92.78CNY-3.85%
希捷科技88.490USD-0.05%
宜鼎国际219.5TWD+0.69%
创见资讯87.7TWD-0.79%
威刚科技79.7TWD+0.13%
世迈科技19.470USD+0.21%
朗科科技22.84CNY+1.42%
佰维存储68.01CNY-2.45%
德明利89.30CNY-1.54%
大为股份11.85CNY-4.51%
封测厂商
华泰电子36.30TWD+0.83%
力成126.5TWD+1.20%
长电科技38.93CNY-0.79%
日月光165.5TWD+0.61%
通富微电29.43CNY-1.47%
华天科技12.16CNY+0.58%