Rambus Gen 4 RCD 将数据速率提高至 7200 MT/s，树立了新的性能基准，并使内存带宽比当今的 4800 MT/s DDR5 模块解决方案增加了 50%。

来到下半年，原厂坚定涨价并控制资源供应态势下，存储产品价格水涨船高。根据比价网站数据，今年双十一期间存储产品价格已经普遍高于618期间，而上扬的价格也直接影响了产品销量，CFM闪存市场数据显示，今年下半年国内部分电商平台存储产品销售额同比表现下滑态势，11月份销售额同比下滑约10%。

研究团队表示，该研究成果能够在国内使用NAND闪存的半导体企业额外开发核心技术时实现快速应用和技术领先。

旺宏指出，与IBM的合作开发计划为期3年，将自今年12月31日开始，至2026年12月30日止，将支付研发费用及权利金。

据韩媒报道，业内人士透露，三星电子正在推行一项计划，以将更先进的工艺应用于“逻辑芯片”，“逻辑芯片”是 HBM4（第六代 HBM）的重要组成部分。

整体上，在SSD产品市场，排名前十的存储品牌享有总体市约65%，前三名品牌合计占整体市场约30%市场份额。

过去广颖以NAND Flash产品为主，但也持续扩大不同存储产品销售，近年来DRAM产品占比提升，截至今年前3季，占比已超17.6%，未来将会扩展DRAM业务，尤其是电竞相关领域。

12月24日，美光科技发言人在一份媒体电邮声明中称，已与福建省晋华集成电路有限公司达成全球和解协议，两家公司将在全球范围内各自撤销对对方的起诉，结束双方之间的所有诉讼。美光科技发言人拒绝透露更多细节。

据韩媒报道，证券机构预测，四季度三星电子销售额将达69.6637万亿韩元（约合533亿美元），营业利润将达3.565万亿韩元（约合27.3亿美元），而三季度该公司营业收入为67.40万亿韩元（约合519亿美元），营业利润为2.43万亿韩元（约合18.7亿美元）。

CFM分析，此波服务器市场需求增长除了四季度传统旺季效应之外，本轮存储行情开始回暖也带动了客户的拉货积极性，加上上半年市场实属惨淡，滞后的需求也开始陆续释放，导致当前市场需求表现优于此前预期。

据了解，三星电子计划将DRAM和NAND产量较今年分别扩大约24%，SK海力士计划扩大生产，重点关注 HBM 等尖端 DRAM，计划将 DRAM 产量提高到减产前的水平，即去年年底前的水平。

南亚科技Q4仍维持动态减产20%以内的水准，明年整体位元出货量预计将较今年成长。

目前主流的NAND技术是V-NAND，通过垂直堆叠单元来提高存储容量和性能。然而，随着V-NAND不断小型化，它已经达到了一个阶段，如果没有对原子级别发生的现象有基本的了解，就很难实现创新。

旺宏董事长吴敏求针对行业景气度表示，全球经济情势不佳，明年产业景气虽然可望较今年好，但好转程度有限。其中工业及车用需求稳定，医疗可望成长。

根据主流CPU厂商公布的最新产品路线图，其支持内存速率6400MT/S的新一代服务器CPU平台计划于明年发布，因此，DDR5第三子代RCD芯片将跟随该CPU平台的发布而开始规模出货。