固件更新并没有解决产品的原有问题，断开连接的问题还未解决，还出现了随机故障。西部数据也因此被告上法庭，原告称驱动器故障问题影响了美国数十万人。

十铨表示，工业产品线的极宽温存储产品系列均通过了验证实验室的ISO-16750 Road vehicles - 5.1.2 高温测试和AEC-Q104－Temperature Cycling测试。

据媒体报道，三星电子为保持其在NAND flash上的成本竞争优势，计划在300层以上堆叠的3D NAND中继续采用双次堆叠（double-stack）技术。

按出口地区来看，对日出口时隔10个月由降转增，增幅为23.2%。对华、对越南、对美国、对欧盟的出口分别减少27.7%、18.6%、28.3%、24.9%。

据悉，三星电子P1 NAND Line是主打V6 NAND的生产线。V6代表第六代，即128层NAND Flash。128层V-NAND系列工艺相对成熟。

截至今年6月底，负责三星电子半导体业务的DS部门的库存为336,896亿韩元， SK海力士为164,202亿韩元。与去年底相比，分别增长15.9%和4.8%。

三星在一份声明中表示：“与堆叠八个 32 TB SSD 相比，尽管存储相同数量的数据，一个 256 TB SSD 的功耗大约要低七倍。”

PBlaze7 7940系列PCIe 5.0企业级NVMe SSD可提供2,800K IOPS的4K随机读性能，700K IOPS的4K随机写性能，分别达上一代PCIe 4.0主流产品的2.5倍和1.7倍。

据韩媒引述业界人士消息称，三星电子正在针对NAND最大生产基地平泽和西安厂区进行产线稼动率调节，与此前仅在非主力生产线减少产量不同，三星电子高层认为与DRAM相比，NAND库存仍处于较高水位，对最大生产基地减少晶圆投入量可望有效降低NAND库存。

目前在DRAM领域应用晶圆到晶圆 (W2W) 技术的研究非常活跃，因为 W2W 混合接合解决方案的应用可以提高高带宽内存等产品的生产率。

相较于PCIe 4.0产品，该系列的吞吐量提升了一倍，顺序读写速度可高达14000/8000 MB/s，而4K稳态随机读写速度则可达2800/600K。

报道称，生产HBM需要采用双TC键合机，通过热压缩法连接多个DRAM。韩美半导体自2016年起就开始研发和生产该设备，今年已转型以此为主营业务。

官方宣称此移动SSD“可承受-40°C至85°C的极端驾驶室温度、车辆撞击和振动”，可以应用于从 Tesla Arcade 游戏到行车记录仪视频的车辆数据存储。

铠侠表示，目前北上工厂K2厂尚未决定完工与稼动的时间，之后将根据市况决定启用新厂的时间。

继7月26日迈凌收购慧荣科技股权案刚刚获得中国监管机构限制性条件批准后，迈凌晚间突发新闻稿称其已经终止了该交易。