Song Jae-hyuk表示，下一代产品10纳米以下DRAM 所需的基础技术正在顺利开发中，下一代NAND产品V10的开发将满足目标性能和进度。

这笔直接资金是英特尔获得的30亿美元Secure Enclave计划制造合同的补充，该计划旨在为美国政府扩大尖端半导体的可信制造。此外，还提供25%投资税收抵免，支持英特尔在美国投资超过 1000 亿美元的计划。

10月包括出口在内的日本半导体制造设备的销售额比上个月增长4.4%（2024年9月度为3695.98亿日元），比去年同期相比增长33.4%（2023年10月度为2891.98亿日元），达3856.76亿日元（约合25.04亿美元）。

三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量，并在施加后调整蚀刻条件的方法，从而减少了PR的使用量。

在英特尔推迟了美国俄亥俄州工厂的部分投资计划后，美国政府正试图将补贴金额降至80亿美元以下。

黄仁勋表示，英伟达正在考虑接收三星电子交付的 8 层和 12 层 HBM3E。

随着HBM3E全面供应 NVIDIA，SK海力士在美国的销售额在第三季度达到了历史新高，预计明年全年将继续保持强劲势头。报告显示，美国占SK海力士第三季度销售额的64%，比上一季度增长5个百分点，同比增长17个百分点，创下历史新高。

据日媒最新消息，铠侠预计将在11月22日获得东京证券交易所(以下简称东证)的上市许可，顺利的话将在12月中旬挂牌上市，市值预估为7,500亿日圆（约合48.6亿美元），远低于此前设定的1.5兆日圆以上的目标。

SEMI表示，第三季度消费、汽车和工业领域复苏速度较慢，但AI数据中心投资需求强劲，是驱动第3季IC销售额成长主要动能。预计今年全年IC销售额可望成长超过20%，主要是数据中心存储强劲需求带动存储芯片价格改善所驱动。

英伟达在中国的数据中心收入连续增长，但在数据中心总收入中所占的比例仍远低于出口管制开始前的水平，预计未来中国市场的竞争仍将非常激烈。

受行业周期好转的影响，11月前20天韩国半导体出口额同比增长42.5%，达77.1亿美元，占同期全国出口总额的 21.6%，比去年同期上升了5.6 个百分点。

除了特斯拉，三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片，这些公司一直在寻求降低对英伟达AI芯片的依赖。