随着这一逆转，三星电子与Netlist之间的专利诉讼诉讼进入了新阶段。如果三星电子最终获胜，预计将影响 Netlist 提起的其他专利诉讼。

随着减产效果显现，9月存储产业厂商营收略见回暖。截至目前，已公布数据的台湾存储产业链企业营收表现如何？

粘合工艺是 HBM 的关键制造步骤，预计将会出现激烈的竞争。

CXL 是一种新颖的接口，旨在更有效地利用计算系统中的中央处理单元 (CPU)、内存、图形处理单元 (GPU)、存储设备等。SK海力士公布的实证结果表明，通过使用下一代CXL内存，可以将数据处理能力提高40%以上。

在即将到来的10nm以下DRAM和1000层NAND时代，新结构和材料的创新非常重要。对于 DRAM，三星正在研究和开发 3D 堆叠结构和新材料，对于NAND，正在增加级数，同时降低高度并最大限度地减少单元之间的干扰。

据韩媒报道，有预测认为，随着DRAM技术发展逐渐濒临瓶颈，未来DRAM制程可能引进混合键合技术，以提高DRAM的集成度，量产64Gb以上的DRAM产品。

三星已开始为这一转型采购最新的半导体设备，新机器预计将在今年年底交付。

引述消息人士说法，三星正考虑自第4季起增产DDR5，并规划持续减产DDR4通用产品、NAND Flash成熟制程产品。

然而，消息称，由于SK海力士对铠侠进行间接出资，而SK海力士可能对此次合并进行了反对投票，因此能否在本月内达成协议仍有变量。

宇瞻全新推出的DDR5正宽温内存条产品线包括UDIMM、SODIMM、ECC UDIMM和ECC SODIMM等多种规格。支持高达4800MT/s和5600MT/s的传输速率，并提供8GB、16GB和32GB等多种容量选择。

据韩媒报道，预计SK海力士第三季度营业亏损将比第二季度减少1.3万亿韩元。预计DRAM将成功扭亏为盈，NAND将录得2万亿韩元的赤字，第三季度营业亏损将改善至1.5万亿韩元。

公司首颗自研SATASSD主控芯片TW6501正在回片验证阶段，目前整体测试结果符合预期。未来公司将自研PCIeSSD主控芯片，积极开拓PCOEM、服务器、数据中心等领域。

展望2024年，旺宏维持先前的保守看法，吴敏求认为，过去两年客户库存水位上升，如今经济衰退，拉货力量减少，库存去化时程恐超过预期，保守氛围直至明年上半年，预期最快明年下半年好转。

德明利与LeadingUI及张美莉投资设立合资公司并将触控资产出售给合资公司，有利于公司进一步集中资源聚焦存储主营业务，提高公司资产运营效率，降低管理成本，提升公司盈利能力。

据韩媒报道，三星电子一位高管表示，目标在2025年推出第六代高带宽内存HBM4芯片，以赢得在快速增长的人工智能芯片领域的主导地位。